Transistor bipolaire 2N5195G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 80
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le 2N5195G est la version sans plomb du transistor 2N5195

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5195G est le 2N5192G.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5195G par 2N5195 ou NTE185.