Transistor bipolaire 2N5195

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 80
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N5195 est le 2N5192.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5195 par 2N5195G ou NTE185.Le transistor 2N5195G est la version sans plomb du 2N5195.