Transistor bipolaire 2N5089

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 30 V
• Tension émetteur-base maximum: 3 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 1200
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Figure de bruit maximum: 2 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Le 2N5089 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le MMBT5089 (SOT-23) et MMBTH10 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5089.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5089 par MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSH10, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G ou ZTX690B.