Transistor bipolaire 2N5050

Caractéristiques électriques du transistor 2N5050

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 125 V
  • Tension collecteur-base maximum: 125 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5050

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5050

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5050 par 2N5038, 2N5038G, 2N5051, 2N5052, BUY69C, BUY70C, MJ15001, MJ15001G, MJ15003, MJ15003G, MJ15011 ou MJ15011G.
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