Transistor bipolaire MJ15001

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 140 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 150
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ15001 est le MJ15002.Vous pouvez remplacer le transistor MJ15001 par MJ15001G, MJ15003 ou MJ15003G.Le transistor MJ15001G est la version sans plomb du MJ15001.