Transistor bipolaire 2N4062
Caractéristiques électriques du transistor 2N4062
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
- Tension collecteur-base maximum: -30 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 180 à 660
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2N4062
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor 2N4062
Version SMD du transistor 2N4062
Substituts et équivalents pour le transistor 2N4062
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