Transistor bipolaire 2N3636

Caractéristiques électriques du transistor 2N3636

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -175 V
  • Tension collecteur-base maximum: -175 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 5 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 150
  • Figure de bruit maximum: 5 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-39

Brochage du 2N3636

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N3636

Le KST93 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N3636.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3636

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3636 par 2N5415.
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