Transistor bipolaire 2N5415

Caractéristiques électriques du transistor 2N5415

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-39

Brochage du 2N5415

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com