Transistor bipolaire 2N3567

Caractéristiques électriques du transistor 2N3567

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 600 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-105

Brochage du 2N3567

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Transistor 2N3567 en boîtier TO-92

Le PN3567 est la version TO-92 du 2N3567.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3567

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3567 par 2N3568 ou 2N3642.
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