Transistor bipolaire 2N3642

Caractéristiques électriques du transistor 2N3642

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-105

Brochage du 2N3642

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Transistor 2N3642 en boîtier TO-92

Le PN3642 est la version TO-92 du 2N3642.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3642

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3642 par 2N3568.
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