Transistor bipolaire 2N3642
Caractéristiques électriques du transistor 2N3642
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 120
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
- Boîtier: TO-105
Brochage du 2N3642
Transistor 2N3642 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor 2N3642
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