Transistor bipolar S8550B

Características del transistor S8550B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del S8550B

El S8550B se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor S8550B puede tener una ganancia de corriente de 85 a 160. La ganancia del S8550 estará en el rango de 85 a 300, para el S8550C estará en el rango de 120 a 200, para el S8550D estará en el rango de 160 a 300.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del S8550B es el S8050B.

Sustitución y equivalentes para el transistor S8550B

Puede sustituir el S8550B por el 2SB564A, KSB564A, KTC9012, M8550, M8550-B, MPS3702, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550B, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, S9012, SS8550 o SS8550B.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com