Transistor bipolar MPS8550S-B
Características del transistor MPS8550S-B
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 160
- Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular MPS8550B transistor
Diagrama de pines del MPS8550S-B
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Transistor MPS8550S-B en envase TO-92
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