Transistor bipolar MJE5731G
Características del transistor MJE5731G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -350 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -350 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 150
- Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
- El MJE5731G es la versión sin plomo del transistor MJE5731
Diagrama de pines del MJE5731G
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE5731G
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