Transistor bipolar MJE1101

Características del transistor MJE1101

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-127

Diagrama de pines del MJE1101

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJE1101 es el MJE1091.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE1101

Puede sustituir el MJE1101 por el MJE1100, MJE1102 o MJE1103.
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