Transistor bipolar MJE1100

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 70 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-127

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del MJE1100 es el MJE1090.Puede sustituir el MJE1100 por el MJE1101, MJE1102 o MJE1103.