Transistor bipolar MJD2955G

Características del transistor MJD2955G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • El MJD2955G es la versión sin plomo del transistor MJD2955

Diagrama de pines del MJD2955G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD2955G está marcado como "J2955G".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJD2955G es el MJD3055G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD2955G

Puede sustituir el MJD2955G por el MJD2955, MJD2955T4 o MJD2955T4G.
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