Transistor bipolar MJ900
Características del transistor MJ900
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 90 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del MJ900
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJ900
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