Transistor bipolar MJ900

Características del transistor MJ900

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ900

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJ900 es el MJ1000.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ900

Puede sustituir el MJ900 por el 2N6649, 2N6650, BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ2500, MJ2501, MJ4030, MJ4031, MJ4032, MJ901, TIP605, TIP606, TIP607, TIP645, TIP646 o TIP647.
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