Transistor bipolar MJ12003
Características del transistor MJ12003
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 750 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 1500 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 100 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 6
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del MJ12003
Sustitución y equivalentes para el transistor MJ12003
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