Transistor bipolar MJ12003

Características del transistor MJ12003

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 750 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1500 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 6
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ12003

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ12003

Puede sustituir el MJ12003 por el MJ12004, MJ12005, MJ8503 o MJ8505.
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