Transistor bipolar MJ12002

Características del transistor MJ12002

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 750 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1500 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 11
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ12002

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ12002

Puede sustituir el MJ12002 por el MJ12004 o MJ12005.
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