Transistor bipolar BDV65B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 125 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-247

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDV65B es el BDV64B.Puede sustituir el BDV65B por el 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65BG, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 o TIP142G.El transistor BDV65BG es la versión sin plomo del BDV65B.