Transistor bipolar 2SB965-P

Características del transistor 2SB965-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB965-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB965-P puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SB965 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB965-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB965-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB965-P puede estar marcado sólo como "B965-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB965-P es el 2SD1288-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB965-P

Puede sustituir el 2SB965-P por el 2SA1106, 2SA1633, 2SA1633-F, 2SA1788, 2SA1788-F, 2SB966 o 2SB966-P.
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