Transistor bipolar 2SB966-P

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
• Disipación de Potencia Máxima: 80 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 160 a 320
• Frecuencia máxima de trabajo: 65 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB966-P puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SB966 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB966-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB966-R estará en el rango de 60 a 120.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB966-P puede estar marcado sólo como "B966-P".El transistor NPN complementario del 2SB966-P es el 2SD1289-P.Puede sustituir el 2SB966-P por el 2SA1106, 2SA1633, 2SA1633-F, 2SA1788 o 2SA1788-F.