Transistor bipolar 2SB775-E

Características del transistor 2SB775-E

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -85 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 18 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -45 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB775-E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB775-E puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB775 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB775-D estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB775-E puede estar marcado sólo como "B775-E".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB775-E es el 2SD895-E.

Versión SMD del transistor 2SB775-E

El BDP954 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB775-E.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB775-E

Puede sustituir el 2SB775-E por el 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1633-E, 2SA1788, 2SA1788-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB695, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, 2SB965, 2SB965-Q, 2SB966, 2SB966-Q, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y o TIP36CA.
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