Transistor bipolar KTB817B-Y

Características del transistor KTB817B-Y

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817-E transistor

Diagrama de pines del KTB817B-Y

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB817B-Y puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del KTB817B estará en el rango de 60 a 200, para el KTB817B-O estará en el rango de 60 a 120.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB817B-Y

Puede sustituir el KTB817B-Y por el 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, KTB817, KTB817-Y, MJW1302A o MJW1302AG.
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