Transistor bipolar 2SB731-E

Características del transistor 2SB731-E

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 360 a 600
  • Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB731-E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB731-E puede tener una ganancia de corriente de 360 a 600. La ganancia del 2SB731 estará en el rango de 135 a 600, para el 2SB731-F estará en el rango de 300 a 480, para el 2SB731-K estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB731-L estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB731-E puede estar marcado sólo como "B731-E".

Versión SMD del transistor 2SB731-E

El 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YK (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-U (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) y SMBTA55 (SOT-23) es la versión SMD del transistor 2SB731-E.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB731-E

Puede sustituir el 2SB731-E por el BD168, BD170, BD190, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 o MJE712.
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