Transistor bipolar HSB1109S-D

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 160 a 320
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
• Encapsulado: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-D transistor

El HSB1109S-D se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor HSB1109S-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del HSB1109S estará en el rango de 60 a 320, para el HSB1109S-B estará en el rango de 60 a 120, para el HSB1109S-C estará en el rango de 100 a 200.El transistor NPN complementario del HSB1109S-D es el HSD1609S-D.Puede sustituir el HSB1109S-D por el 2SA1275, 2SA1275-Y, 2SA1319, 2SA1370, 2SA1370-F, 2SA1371, 2SA1371-F, 2SA1376, 2SA1376A, 2SA1624, 2SA1624-F, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275, KTA1275Y o KTA1279.