Transistor bipolar 2N6556

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
• Disipación de Potencia Máxima: 10 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 80 a 300
• Frecuencia máxima de trabajo: 375 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-202

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del 2N6556 es el 2N6553.El 2SA1368 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2N6556.