Transistor bipolar 2N6553

Características del transistor 2N6553

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 375 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-202

Diagrama de pines del 2N6553

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N6553 es el 2N6556.

Versión SMD del transistor 2N6553

El 2SC3438 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2N6553.
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