Bipolartransistor TIP35BG

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP35BG

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247
  • Der TIP35BG ist die bleifreie Version des TIP35B-Transistors

Pinbelegung des TIP35BG

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP35BG ist der TIP36BG.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP35BG

Sie können den Transistor TIP35BG durch einen NTE392, TIP35B, TIP35C, TIP35CA oder TIP35CG ersetzen.
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