Bipolartransistor TIP35B

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP35B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des TIP35B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP35B ist der TIP36B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP35B

Sie können den Transistor TIP35B durch einen NTE392, TIP35BG, TIP35C, TIP35CA oder TIP35CG ersetzen.

Bleifreie Version

Der TIP35BG-Transistor ist die bleifreie Version des TIP35B.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com