Bipolartransistor PN200A

Elektrische Eigenschaften des Transistors PN200A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des PN200A

Der PN200A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum PN200A ist der PN100A.

SMD-Version des Transistors PN200A

Der MMBT200A (SOT-23) ist die SMD-Version des PN200A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor PN200A

Sie können den Transistor PN200A durch einen BCX79, KSP55, KSP56, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G oder ZTX792A ersetzen.
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