Bipolartransistor MMBT200A

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT200A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular PN200A transistor

Pinbelegung des MMBT200A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT200A-Transistor ist als "N2A" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MMBT200A ist der MMBT100A.

Transistor MMBT200A im TO-92-Gehäuse

Der PN200A ist die TO-92-Version des MMBT200A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT200A

Sie können den Transistor MMBT200A durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC807, BC807-40, BCW68, BCW68H, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 oder SMBTA56 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com