Bipolartransistor NTE123A
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE123A
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
- Verlustleistung, max: 0.4 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Rauschzahl, max: 4 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-18
Pinbelegung des NTE123A
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors NTE123A
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE123A
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