Bipolartransistor NTE159M

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE159M

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des NTE159M

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE159M ist der NTE123.

SMD-Version des Transistors NTE159M

Der DXT2907A (SOT-89), DZT2907A (SOT-223), FJX2907A (SOT-323), FMMT2907A (SOT-23), FMMT2907AR (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KN2907AS (SOT-23), KST2907A (SOT-23), KST55 (SOT-23), KTN2907AS (SOT-23), KTN2907AU (SOT-323), MMBTA55 (SOT-23), MMST2907A (SOT-323), PMBT2907A (SOT-23), PMST2907A (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des NTE159M-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE159M

Sie können den Transistor NTE159M durch einen 2N2907A ersetzen.
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