Bipolartransistor NJW3281

Elektrische Eigenschaften des Transistors NJW3281

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 75 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des NJW3281

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NJW3281 ist der NJW1302.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NJW3281

Sie können den Transistor NJW3281 durch einen 2SC3320, 2SC5242, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, MJL0281A, MJL0281AG, MJL3281A, MJL3281AG, MJW0281A, MJW0281AG, NJW0281, NJW0281G oder NJW3281G ersetzen.

Bleifreie Version

Der NJW3281G-Transistor ist die bleifreie Version des NJW3281.
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