Bipolartransistor NJW0281G

Elektrische Eigenschaften des Transistors NJW0281G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 75 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Der NJW0281G ist die bleifreie Version des NJW0281-Transistors

Pinbelegung des NJW0281G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NJW0281G ist der NJW0302G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NJW0281G

Sie können den Transistor NJW0281G durch einen 2SC3320, 2SC5242, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, MJL0281A, MJL0281AG, MJL3281A, MJL3281AG, MJW0281A, MJW0281AG, NJW0281, NJW3281 oder NJW3281G ersetzen.
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