Bipolartransistor MPS8099

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS8099

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPS8099

Der MPS8099 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8099 ist der MPS8599.

SMD-Version des Transistors MPS8099

Der 2SC3438 (SOT-89), FMMTA06 (SOT-23), KST06 (SOT-23), MMBTA06 (SOT-23), PMBTA06 (SOT-23), PZTA06 (SOT-223) und SMBTA06 (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS8099-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS8099

Sie können den Transistor MPS8099 durch einen 2N5830, 2SC1009, BC538, KSC1009, KSP06, KSP8099, MPS8099G, MPSA06, MPSA06G, MPSW06, MPSW06G, PN4033, ZTX454 oder ZTX455 ersetzen.

Bleifreie Version

Der MPS8099G-Transistor ist die bleifreie Version des MPS8099.
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