Bipolartransistor MMST5551

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
• Rauschzahl, max: 8 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323
• Electrically Similar to the Popular 2N5551 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MMST5551-Transistor ist als "K4N" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MMST5551 ist der MMST5401.Der 2N5551 ist die TO-92-Version des MMST5551.