Bipolartransistor MMST5401
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMST5401
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor
Pinbelegung des MMST5401
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor MMST5401 im TO-92-Gehäuse
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