Bipolartransistor BC856

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC856

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC856

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC856 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC856A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC856B im Bereich von 200 bis 450, die des BC856C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC856 ist der BC846.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC856

Sie können den Transistor BC856 durch einen FMMTA56, KST56, MMBTA56, PMBTA56 oder SMBTA56 ersetzen.
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