Bipolartransistor MMBT3904WT1G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT3904WT1G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
- Verlustleistung, max: 0.15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
- Rauschzahl, max: 5 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
- Der MMBT3904WT1G ist die bleifreie Version des MMBT3904WT1-Transistors
Pinbelegung des MMBT3904WT1G
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT3904WT1G
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