Bipolartransistor MJW21192G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJW21192G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247
  • Der MJW21192G ist die bleifreie Version des MJW21192-Transistors

Pinbelegung des MJW21192G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJW21192G ist der MJW21191G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJW21192G

Sie können den Transistor MJW21192G durch einen MJW21192 ersetzen.
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