Bipolartransistor MJW21192G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJW21192G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Der MJW21192G ist die bleifreie Version des MJW21192-Transistors
Pinbelegung des MJW21192G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJW21192G
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