Bipolartransistor MJW21191G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJW21191G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Der MJW21191G ist die bleifreie Version des MJW21191-Transistors
Pinbelegung des MJW21191G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJW21191G
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