Bipolartransistor MJE2901

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE2901

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des MJE2901

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE2901 ist der MJE2801.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE2901

Sie können den Transistor MJE2901 durch einen 2N5987, 2N5988, MJE1291, MJE2955 oder NTE183 ersetzen.
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