Bipolartransistor MJE2801

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE2801

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des MJE2801

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE2801 ist der MJE2901.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE2801

Sie können den Transistor MJE2801 durch einen 2N5990, 2N5991, MJE1661, MJE3055 oder NTE182 ersetzen.
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