Bipolartransistor MJE13002

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE13002

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE13002

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE13002

Sie können den Transistor MJE13002 durch einen MJE13003 oder MJE13003G ersetzen.
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