Bipolartransistor MJE13003

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE13003

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE13003

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE13003

Sie können den Transistor MJE13003 durch einen MJE13003G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE13003G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE13003.
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