Bipolartransistor MG6331

Elektrische Eigenschaften des Transistors MG6331

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 18 A
Verlustleistung, max: 300 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des MG6331

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MG6331 ist der MG9411.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MG6331

Sie können den Transistor MG6331 durch einen 2SD1313, MAG6333, MAG6333B oder MG6331-R ersetzen.

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