Bipolartransistor MG6331-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 260 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 260 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 18 A
• Verlustleistung, max: 300 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MG6331-R ist der MG9411-R.Sie können den Transistor MG6331-R durch einen 2SD1313 ersetzen.