Bipolartransistor KTC3211

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KTC3211 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTC3211 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3211GR liegt im Bereich von 160 bis 300, die des KTC3211O im Bereich von 85 bis 160, die des KTC3211Y im Bereich von 120 bis 200.Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3211 ist der KTA1283.Der MPS8050S (SOT-23) ist die SMD-Version des KTC3211-Transistors.